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BCR135WH6327XTSA1

BCR135WH6327XTSA1 Infineon

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Hersteller: Infineon
NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor BCR135WH6327 BCR135WH6327XTSA1 TBCR135wh
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Technische Details BCR135WH6327XTSA1 Infineon

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR135WH6327XTSA1 BCR135WH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr135series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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BCR135WH6327XTSA1 BCR135WH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr135series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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BCR135WH6327XTSA1 BCR135WH6327XTSA1 Infineon info-tbcr135wh.pdf NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor BCR135WH6327 BCR135WH6327XTSA1 TBCR135wh
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BCR135WH6327XTSA1 BCR135WH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr135series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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BCR135WH6327XTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS INFNS17181-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR135WH6327XTSA1 - BCR135 - DIGITAL TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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BCR135WH6327XTSA1
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Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor BCR135WH6327 BCR135WH6327XTSA1 TBCR135wh
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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BCR135WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR135WH6327XTSA1 - BCR135 - DIGITAL TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3016 Stücke
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