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BCR 142 E6327 Infineon Technologies

Infineon-BCR142SERIES-DS-v01_01-en-514461.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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Technische Details BCR 142 E6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCR142 E6327 Hersteller : INFINEON SOT23-WZ PB-FREE
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BCR142E6327 (Bipolartransistor NPN) BCR142E6327 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 32884
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BCR142.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 150 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 70
Bem.: 22k+47k
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BCR142E6327 BCR142E6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS11629-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
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