BCR183E6433HTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 11905+ | 0.05 EUR |
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Technische Details BCR183E6433HTMA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Weitere Produktangebote BCR183E6433HTMA1 nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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BCR183E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR183E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR183E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BCR183E6433HTMA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR183E6433HTMA1 - BCR183 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BCR183E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCR183E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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| BCR183E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS |
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