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BCR183SH6327XTSA1

BCR183SH6327XTSA1 Infineon Technologies

bcr183series.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCR183SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT363-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Active.

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BCR183SH6327XTSA1 BCR183SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr183series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144036c8c902d3 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT363-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
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BCR183SH6327XTSA1 BCR183SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr183series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
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BCR183SH6327XTSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS11627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR183SH6327XTSA1 - BCR183 - DIGITAL TRANSISTOR
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productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
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BCR183SH6327XTSA1 BCR183SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr183series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144036c8c902d3 Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS
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