BCR185SH6327 Infineon Technologies


INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4438+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BCR185SH6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT363-6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 250mW.

Weitere Produktangebote BCR185SH6327

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BCR 185S H6327 BCR 185S H6327 Infineon Technologies Infineon-BCR185SERIES-DS-v01_01-en-1225422.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 14487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 185S H6327 Infineon-BCR185SERIES-DS-v01_01-en-1225422.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 14487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH