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BCR185WE6327

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Produktcode: 131182
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BCR185WE6327 BCR185WE6327 Infineon Technologies INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 375000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8955+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 8955 Stücke
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BCR 185W E6327 Infineon Technologies BCR185_Infineon.pdf Транзистор цифровий smd, Тип стр. = PNP, Ic = 0,1, ft, МГц = 200, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Ко
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 8190 Stücke:
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BCR185WE6327 INFINEON INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+
auf Bestellung 6010 Stücke:
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BCR185WE6327
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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BCR 185W E6327 BCR185_Infineon.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = PNP, Ic = 0,1, ft, МГц = 200, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Ко
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Hersteller: INFINEON
07+
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