BCR185WE6327
Produktcode: 131182
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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BCR185WE6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 375000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR185WE6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 366000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR185WE6327 | Hersteller : INFINEON |
07+ |
auf Bestellung 6010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BCR 185W E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = PNP, Ic = 0,1, ft, МГц = 200, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150,... Група товару: Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 8190 Stücke: |