Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR185WH6327
BCR185WH6327

BCR185WH6327 Infineon Technologies

Infineon-BCR185SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a3730114403af22402d4
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 45301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6571+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 6571 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BCR185WH6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Weitere Produktangebote BCR185WH6327 nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR185WH6327 BCR185WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
769+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 769 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 185W H6327 BCR 185W H6327 Infineon Technologies Infineon_BCR185SERIES_DS_v01_01_en.pdf Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 35956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR185WH6327 BCR185.pdf
BCR185WH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
769+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 769 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 185W H6327 Infineon_BCR185SERIES_DS_v01_01_en.pdf
BCR 185W H6327
Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 35956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.57 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH