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BCR185WH6327XTSA1

BCR185WH6327XTSA1 Infineon Technologies

bcr185series.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCR185WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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BCR185WH6327XTSA1 BCR185WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr185series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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BCR185WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BCR185SERIES-DS-v01_01-en.pdf Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
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