BCR192E6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCR192E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Weitere Produktangebote BCR192E6327HTSA1 nach Preis ab 0.064 EUR bis 0.12 EUR
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BCR192E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BCR192E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
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BCR192E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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