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BCR35PNH6327XTSA1

BCR35PNH6327XTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
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Technische Details BCR35PNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: BCR35PN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR35PNH6327XTSA1 BCR35PNH6327XTSA1 Infineon info-tbcr35pnh.pdf NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array BCR35PNH6433XTMA1 BCR35PNH6433XT BCR35PNH6327XT BCR35PNH6327XZ BCR35PNH6433XZ BCR35PNH6327XTSA1 TBCR35pnh
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BCR35PNH6327XTSA1 BCR35PNH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BCR35PN-DS-v01_01-en-1226142.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
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BCR35PNH6327XTSA1 BCR35PNH6327XTSA1 INFINEON 1849699.pdf Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR35PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 11747 Stücke:
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BCR35PNH6327XTSA1 BCR35PNH6327XTSA1 INFINEON 1849699.pdf Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR35PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 11747 Stücke:
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BCR35PNH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array BCR35PNH6433XTMA1 BCR35PNH6433XT BCR35PNH6327XT BCR35PNH6327XZ BCR35PNH6433XZ BCR35PNH6327XTSA1 TBCR35pnh
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Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR35PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR35PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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