Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR503E6327HTSA1
BCR503E6327HTSA1

BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr503.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3408132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6225+0.087 EUR
10000+0.075 EUR
100000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6225
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BCR503 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BCR503E6327HTSA1 nach Preis ab 0.06 EUR bis 6.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 303125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6225+0.087 EUR
10000+0.075 EUR
100000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6225
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.088 EUR
6000+0.081 EUR
9000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 18000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407759130305 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.1 EUR
6000+0.091 EUR
9000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407759130305 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 18511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+0.37 EUR
70+0.25 EUR
104+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C56C2C8D2EC469&compId=BCR503.pdf?ci_sign=9fd95cda543b3b14d33c4843aec4d29fbb1d0b45 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
232+0.31 EUR
265+0.27 EUR
391+0.18 EUR
468+0.15 EUR
893+0.08 EUR
944+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C56C2C8D2EC469&compId=BCR503.pdf?ci_sign=9fd95cda543b3b14d33c4843aec4d29fbb1d0b45 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
auf Bestellung 7593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
232+0.31 EUR
265+0.27 EUR
391+0.18 EUR
468+0.15 EUR
893+0.08 EUR
944+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BCR503_DS_v01_01_en-1731212.pdf Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA
auf Bestellung 8840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.52 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON 1849698.html Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON 1849698.html Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH