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BCR553E6327HTSA1

BCR553E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr553.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCR553E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.

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BCR553E6327HTSA1 BCR553E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr553.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BCR553E6327HTSA1 BCR553E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BCR553_DS_v01_01_en-1226081.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR553E6327HTSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS17204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR553E6327HTSA1 - BCR553 - PNP SILICON DIGITAL TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BCR553E6327HTSA1 BCR553E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr553.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a37301144080e0fd030b Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
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