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BCR555E6327HTSA1

BCR555E6327HTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCR555E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR555E6327HTSA1 BCR555E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr555.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCR555E6327HTSA1 BCR555E6327HTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS INFNS17202-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR555E6327HTSA1 - BCR555 - DIGITAL TRANSISTOR
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Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR555E6327HTSA1 - BCR555 - DIGITAL TRANSISTOR
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productTraceability: No
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