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BCR 562 E6327 Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR

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Technische Details BCR 562 E6327 Infineon Technologies

Транзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,5, ft, МГц = 150, hFE = 60 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,3, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 4,7, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзист, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

Weitere Produktangebote BCR 562 E6327

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	BCR 562 E6327	ON Semiconductor	Транзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,5, ft, МГц = 150, hFE = 60 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,3, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 4,7, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзист Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	verfügbar 2880 Stücke:	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BCR 562 E6327

Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,5, ft, МГц = 150, hFE = 60 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,3, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 4,7, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзист
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verfügbar 2880 Stücke:

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