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BCR562E6327HTSA1

BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 150 MHz, Power - Max: 330 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: PG-SOT23, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr562.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
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Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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