Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR562E6327HTSA1
BCR562E6327HTSA1

BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr562.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.094 EUR
6000+0.089 EUR
9000+0.087 EUR
24000+0.083 EUR
30000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

Weitere Produktangebote BCR562E6327HTSA1 nach Preis ab 0.075 EUR bis 1.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr562.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.094 EUR
6000+0.087 EUR
9000+0.083 EUR
24000+0.08 EUR
30000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr562.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 13828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
71+0.3 EUR
106+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies infineon_bcr562_datasheet_en.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 4738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+0.9 EUR
100+0.84 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR562E6327HTSA1 bcr562.pdf
BCR562E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.094 EUR
6000+0.087 EUR
9000+0.083 EUR
24000+0.08 EUR
30000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR562E6327HTSA1 bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d
BCR562E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR562E6327HTSA1 bcr562.pdf
BCR562E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR562E6327HTSA1 bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d
BCR562E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 13828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+0.44 EUR
71+0.3 EUR
106+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR562E6327HTSA1 infineon_bcr562_datasheet_en.pdf
BCR562E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 4738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.06 EUR
10+0.9 EUR
100+0.84 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH