BCV27-QR Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BCV27-Q/SOT23/TO-236AB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
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Technische Details BCV27-QR Nexperia USA Inc.
Description: BCV27-Q/SOT23/TO-236AB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN - Darlington, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA.
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BCV27-QR | Nexperia |
Darlington Transistors BCV27-Q/SOT23/TO-236AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BCV27-QR |
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