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BCV61C,215

BCV61C,215 NXP Semiconductors

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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 132000 Stücke:
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Technische Details BCV61C,215 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - BCV61C,215 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 250 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-143, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCV61C,215 BCV61C,215 NXP Semiconductors 11021669646332bcv61.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
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BCV61C,215 BCV61C,215 NEXPERIA BCV61.pdf Description: NEXPERIA - BCV61C,215 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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260+0.89 EUR
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500+0.46 EUR
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BCV61C,215 BCV61C,215 NEXPERIA BCV61.pdf Description: NEXPERIA - BCV61C,215 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 250 mW
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DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BCV61C,215 Nexperia BCV61.pdf Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-253-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 2240 Stücke:
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BCV61C,215
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Nexperia
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Description: NEXPERIA - BCV61C,215 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
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Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Verlustleistung, NPN: 250mW
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCV61C,215 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
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Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-253-4 Од. вим: шт
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