BCV61C Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Подвоєний транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 30; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 250; hFE = 520 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V; Тексп, °С = -65...+150; SOT-143
Подвоєний транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 30; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 250; hFE = 520 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V; Тексп, °С = -65...+150; SOT-143
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Technische Details BCV61C Infineon Technologies
Подвоєний транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 30; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 250; hFE = 520 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V; Тексп, °С = -65...+150; SOT-143.
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