BCV62AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCV62AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-143, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BCV62AE6327HTSA1 nach Preis ab 0.11 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BCV62AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCV62AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCV62AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCV62AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCV62AE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BCV62AE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BCV62AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A |
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| BCV62AE6327HTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
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| 1544+ | 0.11 EUR |
| BCV62AE6327HTSA1 |
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1544+ | 0.11 EUR |
| BCV62AE6327HTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
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|---|---|
| 4049+ | 0.17 EUR |
| BCV62AE6327HTSA1 |
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 9000+ | 0.17 EUR |
| BCV62AE6327HTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
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DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
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Verlustleistung, PNP: 300mW
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 275+ | 0.9 EUR |
| 358+ | 0.65 EUR |
| 575+ | 0.37 EUR |
| 625+ | 0.35 EUR |
| 1184+ | 0.18 EUR |
| BCV62AE6327HTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 275+ | 0.9 EUR |
| 358+ | 0.65 EUR |
| 575+ | 0.37 EUR |
| 625+ | 0.35 EUR |
| 1184+ | 0.18 EUR |
| BCV62AE6327HTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.37 EUR |
| 10+ | 1.36 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |