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BCV62CE6327HTSA1

BCV62CE6327HTSA1 Infineon Technologies

infineonbcv62dsv0101en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
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Technische Details BCV62CE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCV62CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-143, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BCV62CE6327HTSA1 BCV62CE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbcv62dsv0101en.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
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BCV62CE6327HTSA1 BCV62CE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BCV62_DS_v01_01_en-3160271.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 30 V 100 mA
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BCV62CE6327HTSA1 BCV62CE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcv62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114498f7eab01ce&fileId=db3a30431441fb5d011449a5795f0230 Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A PG-SOT-1433D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Last Time Buy
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BCV62CE6327HTSA1 BCV62CE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbcv62dsv0101en.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
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BCV62CE6327HTSA1 BCV62CE6327HTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCV62CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BCV62CE6327HTSA1 BCV62CE6327HTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCV62CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
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