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BCW30LT1G
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BCW30LT1G ONSEMI

bcw30lt1-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 215...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
334+0.21 EUR
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Technische Details BCW30LT1G ONSEMI

Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 300 mW.

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BCW30LT1G
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 		BCW30LT1G Hersteller : ONSEMI bcw30lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 215...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BCW30LT1G BCW30LT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw30lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW30LT1G BCW30LT1G Hersteller : onsemi bcw30lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
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BCW30LT1G BCW30LT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw30lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW30LT1G BCW30LT1G Hersteller : onsemi BCW30LT1_D-1802350.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V PNP
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BCW30LT1G BCW30LT1G Hersteller : onsemi bcw30lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
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BCW30LT1G BCW30LT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw30lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW30LT1G Hersteller : ON-Semicoductor bcw30lt1-d.pdf PNP 100mA 32V 250mW 100MHz BCW30,215, BCW30LT1G BCW30 smd TBCW30
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