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BCW33,215

BCW33,215 Nexperia

bcw31bcw32bcw33.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCW33,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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BCW33,215 BCW33,215 Hersteller : Nexperia bcw31bcw32bcw33.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCW33,215 BCW33,215 Hersteller : NXP Semiconductors 10992328585222bcw31_bcw32_bcw33.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCW33,215 BCW33,215 Hersteller : Nexperia BCW31_BCW32_BCW33.pdf Bipolar Transistors - BJT BCW33/SOT23/TO-236AB
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BCW33,215 BCW33,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCW31_BCW32_BCW33.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BCW33,215 BCW33,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBAE2E1622AC469&compId=BCW33.215.pdf?ci_sign=6e412899629018e86a83a143ffa4928ccbe87e58 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 32V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BCW33,215 BCW33,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBAE2E1622AC469&compId=BCW33.215.pdf?ci_sign=6e412899629018e86a83a143ffa4928ccbe87e58 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 32V
Kind of package: 7 inch reel; tape
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BCW33,215 BCW33,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCW33,215 BCW33,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCW33,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BCW31_BCW32_BCW33.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 32; Ic = 100 мА; ft, МГц = 100; hFE = 420 @ 2 мA, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.21 @ 2.5 мA, 50 мA; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
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BCW33,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BCW33,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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BCW33,215 BCW33,215 Hersteller : NEXPERIA 10992328585222bcw31_bcw32_bcw33.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW33,215 BCW33,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCW31_BCW32_BCW33.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 250 mW
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