BCW33LT1 ON Semiconductor
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Technische Details BCW33LT1 ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 300 mW.
Weitere Produktangebote BCW33LT1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BCW33LT1 | On Semiconductor |
 (NPN,32V,0.1A,B=420/800,SOT-23) Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BCW33LT1 | ON Semiconductor |
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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BCW33LT1 | onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCW33LT1 |
|
Hersteller: On Semiconductor
(NPN,32V,0.1A,B=420/800,SOT-23) Транзистори
(NPN,32V,0.1A,B=420/800,SOT-23) Транзистори
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| BCW33LT1 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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| BCW33LT1 |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
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