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BCW33LT1G

BCW33LT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW33LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3, Power - Max: 300 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCW33LT1G BCW33LT1G ON Semiconductor bcw33lt1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW33LT1G BCW33LT1G ON Semiconductor bcw33lt1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW33LT1G BCW33LT1G onsemi BCW33LT1-D.PDF description Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
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3402+0.049 EUR
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BCW33LT1G BCW33LT1G ON Semiconductor bcw33lt1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2359+0.071 EUR
3788+0.043 EUR
5377+0.03 EUR
5953+0.025 EUR
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BCW33LT1G BCW33LT1G ON Semiconductor bcw33lt1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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982+0.18 EUR
1578+0.1 EUR
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2476+0.061 EUR
3402+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 612 Stücke
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BCW33LT1G BCW33LT1G onsemi BCW33LT1-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
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6000+0.055 EUR
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BCW33LT1G BCW33LT1G onsemi BCW33LT1-D.PDF description Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
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103+0.2 EUR
165+0.13 EUR
500+0.093 EUR
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BCW33LT1G ON SEMICONDUCTOR BCW33LT1-D.PDF description NPN 32V 0.2A 0.25W SOT-23
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BCW33LT1G ON Semiconductor BCW33LT1-D.PDF description Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420...800 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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6897+0.021 EUR
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Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
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1000+0.082 EUR
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Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
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103+0.2 EUR
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500+0.093 EUR
1000+0.081 EUR
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Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
NPN 32V 0.2A 0.25W SOT-23
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32+0.3 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420...800 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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