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BCW33LT1G

BCW33LT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW33LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 300 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCW33LT1G BCW33LT1G ON Semiconductor bcw33lt1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW33LT1G BCW33LT1G onsemi BCW33LT1-D.PDF description Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
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BCW33LT1G BCW33LT1G onsemi BCW33LT1-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
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15+0.2 EUR
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BCW33LT1G BCW33LT1G onsemi BCW33LT1-D.PDF description Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
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BCW33LT1G ONSEMI ONSM-S-A0017604373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - BCW33LT1G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 32, SOT-23-3
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BCW33LT1G ON SEMICONDUCTOR BCW33LT1-D.PDF description NPN 32V 0.2A 0.25W SOT-23
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BCW33LT1G
Hersteller: onsemi
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Transistor Type: NPN
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
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BCW33LT1G
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BCW33LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 1860 Stücke:
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BCW33LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
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BCW33LT1G description BCW33LT1-D.PDF
BCW33LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW33LT1G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 32, SOT-23-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
NPN 32V 0.2A 0.25W SOT-23
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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