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BCW33LT3G

BCW33LT3G ON Semiconductor

bcw33lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW33LT3G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 300 mW.

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BCW33LT3G BCW33LT3G Hersteller : ON Semiconductor bcw33lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW33LT3G BCW33LT3G Hersteller : onsemi BCW33LT1.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
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BCW33LT3G BCW33LT3G Hersteller : onsemi BCW33LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
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BCW33LT3G BCW33LT3G Hersteller : onsemi BCW33LT1.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
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BCW33LT3G BCW33LT3G Hersteller : ONSEMI BCW33LT1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 420...800
Kind of package: reel; tape
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Mindestbestellmenge: 165
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BCW33LT3G BCW33LT3G Hersteller : ONSEMI BCW33LT1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 420...800
Kind of package: reel; tape
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BCW33LT3G Hersteller : ONSEMI ONSMS21164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BCW33LT3G
Produktcode: 183750
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