BCW60BE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW60BE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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| BCW60BE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN 100mA 32V 250mW 250MHz BCW60B TBCW60b Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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BCW60BE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW60BE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW |
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