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BCW60DE6327HTSA1

BCW60DE6327HTSA1 Infineon Technologies

bcw60_bcx70.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCW60DE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCW60DE6327HTSA1 BCW60DE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcw60_bcx70.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCW60DE6327HTSA1 BCW60DE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
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BCW60DE6327HTSA1 BCW60DE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BCW60_BCX70_DS_v01_01_en_5b1_5d-3160272.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
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