BCW60E6422HTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BCW60E6422HTMA1 Infineon Technologies
Description: BCW60 - BIPOLAR BJT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.05V @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.
Weitere Produktangebote BCW60E6422HTMA1 nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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BCW60E6422HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 |
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BCW60E6422HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: BCW60 - BIPOLAR BJT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.05V @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW |
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| BCW60E6422HTMA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW60E6422HTMA1 - BCW60 - BIPOLAR BJT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 360000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW60E6422HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 |
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