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BCW61AE6327HTSA1

BCW61AE6327HTSA1 Infineon Technologies

bcw61_bcx71.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCW61AE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.

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BCW61AE6327HTSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS17211-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61AE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
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BCW61AE6327HTSA1 BCW61AE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BCW61_BCX71-DS-v01_01-en-1225934.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
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