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BCW 61B E6327

BCW 61B E6327 Infineon Technologies

bcw61_bcx71-55820.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
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Technische Details BCW 61B E6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCW 61B E6327 Hersteller : Infineon PNP 100mA 32V 250mW 100MHz BCW61BE6327HTSA1 BCW61B TBCW61b
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BCW61B E6327 Hersteller : Infineon SOT23
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BCW61BE6327 BCW61BE6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
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