BCW61CE6327HTSA1 Infineon
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Technische Details BCW61CE6327HTSA1 Infineon
Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23, Power - Max: 330 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: PG-SOT23, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote BCW61CE6327HTSA1 nach Preis ab 0.068 EUR bis 0.077 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
 Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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| BCW61CE6327HTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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| 7076+ | 0.077 EUR |
| 10000+ | 0.068 EUR |
| BCW61CE6327HTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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