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BCW61D,215

BCW61D,215 NXP Semiconductors

1511652005358535bcw61.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCW61D,215 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: -100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCW61, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCW61D,215 BCW61D,215 Hersteller : NXP Semiconductors 1511652005358535bcw61.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCW61D,215 BCW61D,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCW61.pdf Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BCW61D,215 BCW61D,215 Hersteller : NEXPERIA 1511652005358535bcw61.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW61D,215 BCW61D,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS09979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: -100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW61
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BCW61D,215 BCW61D,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS09979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Dauer-Kollektorstrom: -100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW61
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V
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Wandlerpolarität: PNP
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Power - Max: 250 mW
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