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BCW65CLT1G ON Semiconductor

Produktcode: 223064
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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5103+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 5103 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
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33000+0.056 EUR
45000+0.054 EUR
48000+0.052 EUR
60000+0.051 EUR
75000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 33000 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
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33000+0.056 EUR
45000+0.054 EUR
48000+0.051 EUR
60000+0.049 EUR
75000+0.046 EUR
150000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 33000 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.062 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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6000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G onsemi BCW65ALT1-D.PDF Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.069 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2440+0.07 EUR
2476+0.067 EUR
2519+0.063 EUR
2558+0.06 EUR
2605+0.057 EUR
2646+0.054 EUR
2696+0.05 EUR
3000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 2440 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2289+0.075 EUR
2422+0.07 EUR
2571+0.064 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2289 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ONSEMI BCW65ALT1-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Current gain: 250...630
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.8A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 32V
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.24 EUR
455+0.19 EUR
527+0.17 EUR
939+0.09 EUR
1140+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G onsemi BCW65ALT1-D.PDF Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
93+0.23 EUR
151+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 28648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
607+0.42 EUR
991+0.24 EUR
1613+0.13 EUR
2170+0.099 EUR
2500+0.086 EUR
5000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 28648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
607+0.42 EUR
991+0.24 EUR
1613+0.13 EUR
2170+0.099 EUR
2500+0.086 EUR
5000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G onsemi BCW65ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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BCW65CLT1G bcw65alt1-d.pdf
BCW65CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5103+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 5103 Stücke
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BCW65CLT1G bcw65alt1-d.pdf
BCW65CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33000+0.056 EUR
45000+0.054 EUR
48000+0.052 EUR
60000+0.051 EUR
75000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 33000 Stücke
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BCW65CLT1G bcw65alt1-d.pdf
BCW65CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33000+0.056 EUR
45000+0.054 EUR
48000+0.051 EUR
60000+0.049 EUR
75000+0.046 EUR
150000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 33000 Stücke
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BCW65CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.062 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BCW65CLT1G bcw65alt1-d.pdf
BCW65CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.062 EUR
6000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65ALT1-D.PDF
BCW65CLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.069 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW65CLT1G bcw65alt1-d.pdf
BCW65CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2440+0.07 EUR
2476+0.067 EUR
2519+0.063 EUR
2558+0.06 EUR
2605+0.057 EUR
2646+0.054 EUR
2696+0.05 EUR
3000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 2440 Stücke
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BCW65CLT1G bcw65alt1-d.pdf
BCW65CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2289+0.075 EUR
2422+0.07 EUR
2571+0.064 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2289 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65ALT1-D.PDF
BCW65CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Current gain: 250...630
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.8A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 32V
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
358+0.24 EUR
455+0.19 EUR
527+0.17 EUR
939+0.09 EUR
1140+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65ALT1-D.PDF
BCW65CLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+0.36 EUR
93+0.23 EUR
151+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW65CLT1G ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW65CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 28648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
607+0.42 EUR
991+0.24 EUR
1613+0.13 EUR
2170+0.099 EUR
2500+0.086 EUR
5000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW65CLT1G ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW65CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 28648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
607+0.42 EUR
991+0.24 EUR
1613+0.13 EUR
2170+0.099 EUR
2500+0.086 EUR
5000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW65CLT1G BCW65ALT1-D.PDF
BCW65CLT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.46 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH