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BCW66GR

BCW66GR NEXPERIA

BCW66X_SER.pdf Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 160...400
Collector current: 0.8A
Pulsed collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
500+0.14 EUR
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2552+0.03 EUR
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Technische Details BCW66GR NEXPERIA

Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BCW66GR BCW66GR Hersteller : NEXPERIA BCW66X_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 160...400
Collector current: 0.8A
Pulsed collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
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BCW66GR BCW66GR Hersteller : Nexperia USA Inc. BCW66X_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BCW66GR BCW66GR Hersteller : Nexperia BCW66X_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor
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BCW66GR BCW66GR Hersteller : NEXPERIA bcw66x_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW66GR BCW66GR Hersteller : Nexperia bcw66x_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCW66GR BCW66GR Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003514590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCW66GR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BCW66 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BCW66GR BCW66GR Hersteller : Nexperia USA Inc. BCW66X_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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