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BCW66HTA

BCW66HTA Diodes Zetex

bcw66h.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW66HTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BCW66HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BCW66HTA BCW66HTA Hersteller : Diodes Zetex bcw66h.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW66HTA BCW66HTA Hersteller : Diodes Incorporated BCW66H.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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15000+0.10 EUR
21000+0.09 EUR
30000+0.09 EUR
75000+0.08 EUR
150000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BCW66HTA BCW66HTA Hersteller : DIODES INCORPORATED BCW66H.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 330mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Current gain: 80...630
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
311+0.23 EUR
481+0.15 EUR
695+0.10 EUR
736+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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BCW66HTA BCW66HTA Hersteller : DIODES INCORPORATED BCW66H.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 330mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Current gain: 80...630
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
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BCW66HTA BCW66HTA Hersteller : Diodes Incorporated BCW66H.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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50+0.35 EUR
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500+0.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 31
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BCW66HTA BCW66HTA Hersteller : Diodes Incorporated BCW66H.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Low Saturation
auf Bestellung 19807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4+0.72 EUR
10+0.54 EUR
100+0.30 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BCW66HTA BCW66HTA Hersteller : Diodes Zetex bcw66h.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
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BCW66HTA BCW66HTA Hersteller : DIODES INC. DIODS19891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCW66HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2760 Stücke:
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BCW66HTA BCW66HTA Hersteller : DIODES INC. DIODS19891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCW66HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BCW66HTA BCW66HTA Hersteller : Diodes Inc bcw66h.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
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BCW66HTA Hersteller : STMicroelectronics BCW66H.pdf Bipolar Transistors - BJT
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