BCW68GE6327 Infineon
Hersteller: Infineon
PNP 800mA 45V 225mW 100MHz BCW68GLT3G, BCW68GLT1G, BCW68GE6327HTSA1, BCW68GE6327, BCW68G BCW68G TBCW68g
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Technische Details BCW68GE6327 Infineon
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 330 mW.
Weitere Produktangebote BCW68GE6327 nach Preis ab 0.075 EUR bis 0.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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BCW68GE6327 Produktcode: 122761
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: SOT-23 Grenzfrequenz fT, MHz: 200 МГц Spannung Uce, V: 45 В Spannung Ucb, V: 60 В Strom Ic, A: 1 A Stromverstärkung h21, max: 400 |
auf Bestellung: 2435 St.
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BCW68GE6327 | Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW |
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| BCW68GE6327 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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BCW 68G E6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR |
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Mindestbestellmenge: 42000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| BCW68GE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCW68GE6327 Produktcode: 122761
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 МГц
Spannung Uce, V: 45 В
Spannung Ucb, V: 60 В
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 400
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 МГц
Spannung Uce, V: 45 В
Spannung Ucb, V: 60 В
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 400
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| 100+ | 0.082 EUR |
| 1000+ | 0.075 EUR |
| BCW68GE6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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| BCW68GE6327 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
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| BCW 68G E6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
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Mindestbestellmenge: 42000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| BCW68GE6327 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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