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BCW68GE6327

BCW68GE6327 Infineon

bcw67_bcw68-85714.pdf
Produktcode: 122761
Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 45 V
U, V: 60 V
I, А: 1 А
h21,max: 400
auf Bestellung 2700 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCW68GE6327 Hersteller : Infineon INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PNP 800mA 45V 225mW 100MHz BCW68GLT3G, BCW68GLT1G, BCW68GE6327HTSA1, BCW68GE6327, BCW68G BCW68G TBCW68g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BCW68GE6327 BCW68GE6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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BCW68GE6327 Hersteller : onsemi / Fairchild INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT
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BCW 68G E6327 BCW 68G E6327 Hersteller : Infineon Technologies bcp54_bcp55_bcp56-539996.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
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BCW68GE6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BCW68FE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
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Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 200
auf Bestellung 2264 Stück:
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BC807_.pdf
BC807-40
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
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1000+0.01 EUR
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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1389 Stück
104 Stück - stock Köln
1285 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
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BCX42E6327
Produktcode: 122762
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bcx42-55872-datasheet.pdf
BCX42E6327
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 150 MHz
U, V: 125 V
U, V: 125 V
I, А: 1 А
auf Bestellung 410 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10R) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2151
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RC_series.pdf
10 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10R) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 6790 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10000 Stück:
10000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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