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BCW68GE6327

BCW68GE6327 Infineon

bcw67_bcw68-85714.pdf
Produktcode: 122761
Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 45 V
U, V: 60 V
I, А: 1 А
h21,max: 400
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BCW68GE6327 Hersteller : Infineon INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PNP 800mA 45V 225mW 100MHz BCW68GLT3G, BCW68GLT1G, BCW68GE6327HTSA1, BCW68GE6327, BCW68G BCW68G TBCW68g
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BCW68GE6327 BCW68GE6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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BCW68GE6327 Hersteller : onsemi / Fairchild INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT
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BCW 68G E6327 BCW 68G E6327 Hersteller : Infineon Technologies bcp54_bcp55_bcp56-539996.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
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fT: 100 MHz
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Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
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ZCODE: SMD
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U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.12 EUR