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BCW68GE6327

BCW68GE6327 Infineon

bcw67_bcw68-85714.pdf
Produktcode: 122761
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 45 V
U, V: 60 V
I, А: 1 А
h21,max: 400
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCW68GE6327 Hersteller : Infineon INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PNP 800mA 45V 225mW 100MHz BCW68GLT3G, BCW68GLT1G, BCW68GE6327HTSA1, BCW68GE6327, BCW68G BCW68G TBCW68g
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BCW68GE6327 BCW68GE6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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BCW68GE6327 Hersteller : onsemi / Fairchild INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT
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BCW 68G E6327 BCW 68G E6327 Hersteller : Infineon Technologies bcp54_bcp55_bcp56-539996.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
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PBSS4350T
Produktcode: 105422
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pbss4350t-datasheet.pdf
PBSS4350T
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 2 А
ZCODE: SMD
auf Bestellung 8 St.:
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DB-9M (CD5109PA100, DSC-009, KLS1-213-09-M-B)(DB-09M)
Produktcode: 3565
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DB-9M (CD5109PA100, DSC-009, KLS1-213-09-M-B)(DB-09M)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Beschreibung: D-SUB Stifte auf Kabel (komp.-Interface) 2-х Reihen, 9 Kontakte
Stecker oder Steckdose: Stecker
Anzahl, Kontakte: 9
Серія: DB
Механічний монтаж: На провід
Орієнтація в просторі: Прямий
verfügbar: 367 St.
erwartet: 10000 St.
10000 St. - erwartet 15.08.2026
Anzahl Preis
1+0.22 EUR
10+0.17 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
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LM324DT
Produktcode: 13322
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description en.CD00001046.pdf
LM324DT
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-14
Vc, V: 32V
BW, MHz: 1.2
Vio, mV(Biasspannung): 5
Geschw. Nar., V/mks: 1
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 4
ZCODE: 4
Монтаж: SMD
verfügbar: 1131 St.
50 St. - stock Köln
1081 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.15 EUR
10+0.14 EUR
100+0.1 EUR
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10uF 35V EXR 5x11mm (EXR100M35B-Hitano)
Produktcode: 13475
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EXR_080421.pdf
10uF 35V EXR 5x11mm (EXR100M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 3097 St.
179 St. - stock Köln
2918 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.26 EUR
10+0.22 EUR
100+0.19 EUR
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BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873
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BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
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Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.026 EUR
1000+0.023 EUR
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