BCW68GE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW68GE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 330 mW.
Weitere Produktangebote BCW68GE6327HTSA1 nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BCW68GE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BCW68GE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
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Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW68GE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW |
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BCW68GE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW |
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BCW68GE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR |
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