BCW68GLT1G ON Semiconductor
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Technische Details BCW68GLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BCW68GLT1G nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BCW68GLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW68GLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW68GLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCW68GLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 120...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BCW68GLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 120...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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BCW68GLT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP |
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BCW68GLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
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BCW68GLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BCW68GLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW68GLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BCW68GLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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