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BCW68GLT3G

BCW68GLT3G ON Semiconductor

bcw68glt1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW68GLT3G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 225 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BCW68GLT3G BCW68GLT3G onsemi BCW68GLT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR
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BCW68GLT3G BCW68GLT3G onsemi BCW68GLT1-D.PDF Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
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BCW68GLT3G ONSEMI ONSM-S-A0002808880-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BCW68GLT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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