BCW68GLT3G ON Semiconductor
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Technische Details BCW68GLT3G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 225 mW.
Weitere Produktangebote BCW68GLT3G nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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BCW68GLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW68GLT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
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BCW68GLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW68GLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW68GLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 29975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW68GLT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR |
auf Bestellung 23562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCW68GLT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
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| BCW68GLT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW68GLT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BCW68GLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW68GLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW68GLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BCW68GLT3G | Hersteller : ONSEMI |
BCW68GLT3G PNP SMD transistors |
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