Technische Details BCW68GVL Nexperia
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCW68, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BCW68GVL nach Preis ab 0.042 EUR bis 0.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BCW68GVL | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 79960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW68GVL | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 18461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW68GVL | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A PNP BJT |
auf Bestellung 11345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCW68GVL | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 9523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCW68GVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BCW68GVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCW68GVL |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 79960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9260+ | 0.059 EUR |
| 10381+ | 0.052 EUR |
| BCW68GVL |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9260+ | 0.059 EUR |
| 10381+ | 0.052 EUR |
| BCW68GVL |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A PNP BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A PNP BJT
auf Bestellung 11345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 0.26 EUR |
| 18+ | 0.16 EUR |
| 100+ | 0.097 EUR |
| 500+ | 0.07 EUR |
| 1000+ | 0.055 EUR |
| 5000+ | 0.048 EUR |
| 10000+ | 0.042 EUR |
| BCW68GVL |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 9523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 67+ | 0.26 EUR |
| 113+ | 0.16 EUR |
| 183+ | 0.096 EUR |
| 500+ | 0.07 EUR |
| 1000+ | 0.061 EUR |
| 2000+ | 0.054 EUR |
| 5000+ | 0.046 EUR |
| BCW68GVL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BCW68GVL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1214 Stücke:
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