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BCW70LT1G

BCW70LT1G ON Semiconductor

bcw70lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW70LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 225 mW.

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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw70lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw70lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw70lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : ONSEMI bcw70lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 215...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : ONSEMI bcw70lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 215...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw70lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : onsemi bcw70lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw70lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : onsemi BCW70LT1_D-2310303.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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3000+ 0.06 EUR
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : onsemi bcw70lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw70lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013215126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: -999MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18499 Stücke:
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013215126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: -999MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCW70LT1G BCW70LT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw70lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW70LT1G Hersteller : ON-Semicoductor bcw70lt1-d.pdf PNP 100mA 45V 350mW 150MHz BCW70,215 , BCW70,235 , BCW70LT1G BCW70 smd TBCW70
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BCW70LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002808849-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BCW70LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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