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BCX19T116

BCX19T116 Rohm Semiconductor

bcx19t116-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 425mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCX19T116 Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 45V 0.5A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 350 mW.

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BCX19T116 BCX19T116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=BCX19&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 45V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
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BCX19T116 BCX19T116 Hersteller : Rohm Semiconductor bcx19t116-e.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 425mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCX19T116 BCX19T116 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=BCX19&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 500MA
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BCX19T116 BCX19T116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=BCX19&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 45V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
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BCX19T116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BCX19&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key BCX19T116 NPN SMD transistors
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