BCX41E6327 (NPN-Bipolartransistor) Infineon
Produktcode: 25121
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 125 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 125 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 40
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.12 EUR |
| 10+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.095 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote BCX41E6327 (NPN-Bipolartransistor) nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCX41 E6327 | Infineon |
NPN 800mA 125V 330mW 100MHz BCX41 smd TBCX41Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
BCX41E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 125V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
BCX 41 E6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR |
auf Bestellung 782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
| BCX 41 E6327 | Infineon |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCX41E6327 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 0.33, VCEO,В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 100, hFE = 40 @ 200 мА, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.9 @ 30 мА, 300 мА, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 40 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCX41 E6327 |
![]() |
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.31 EUR |
| BCX41E6327 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 125V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 125V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 193+ | 0.44 EUR |
| 232+ | 0.37 EUR |
| 255+ | 0.35 EUR |
| BCX 41 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.95 EUR |
| 10+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.13 EUR |
| BCX 41 E6327 |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BCX41E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 0.33, VCEO,В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 100, hFE = 40 @ 200 мА, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.9 @ 30 мА, 300 мА, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 0.33, VCEO,В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 100, hFE = 40 @ 200 мА, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.9 @ 30 мА, 300 мА, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 40 Stücke:
Mit diesem Produkt kaufen
| BCP69 Produktcode: 1263
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-223
Grenzfrequenz fT, MHz: 40 MHz
Spannung Uce, V: 20 V
Spannung Ucb, V: 25 V
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 375
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-223
Grenzfrequenz fT, MHz: 40 MHz
Spannung Uce, V: 20 V
Spannung Ucb, V: 25 V
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 375
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 2140 St.
- 60 St. - stock Köln
- 2080 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.14 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.095 EUR |
| RB157 Produktcode: 177683
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: RB-15 (WOM)
Sperrspannung Urev, V: 1000 В
Durchlassstrom Idir, A: 1,5 А
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 40 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: RB-15 (WOM)
Sperrspannung Urev, V: 1000 В
Durchlassstrom Idir, A: 1,5 А
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 40 A
auf Bestellung 5 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 1N4007-SMD M7 DO214AC (2000 Stk./b.) Produktcode: 73458
8
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-214AC
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 1 A
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-214AC
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 1 A
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1 В
verfügbar: 1980 St.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.048 EUR |
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.02 EUR |
| 1000+ | 0.013 EUR |
| 3,3nF 6,3kV Z5V Z(±20%) D<=10,8mm Produktcode: 118083
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 3,3 nF
Nennspannung: 6,3 kV
Dielektrikum-Code (TCC): Z5V
Toleranz: ±20% M
Abmessungen: D<=10,8 мм
Kapazität: 3,3 nF
Nennspannung: 6,3 kV
Dielektrikum-Code (TCC): Z5V
Toleranz: ±20% M
Abmessungen: D<=10,8 мм
auf Bestellung 7838 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BCX42E6327 Produktcode: 122762
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 150 МГц
Spannung Uce, V: 125 В
Spannung Ucb, V: 125 В
Strom Ic, A: 1 A
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 150 МГц
Spannung Uce, V: 125 В
Spannung Ucb, V: 125 В
Strom Ic, A: 1 A
auf Bestellung 479 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)








