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BCX41E6327HTSA1

BCX41E6327HTSA1 Infineon Technologies

Infineon_BCX41_DS_v01_01_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR
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Technische Details BCX41E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCX41E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCX41E6327HTSA1 BCX41E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-881.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCX41E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCX41E6327HTSA1 BCX41E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-881.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCX41E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
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Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCX41E6327HTSA1 Infineon fundamentals-of-power-semiconductors NPN 800mA 125V 330mW 100MHz BCX41 smd TBCX41
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BCX41E6327HTSA1 Infineon Technologies bcx41.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 40, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мА, 300 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BCX41E6327HTSA1 SIEMD095-881.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCX41E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
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Description: INFINEON - BCX41E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Wandlerpolarität: NPN
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Транзистор NPN, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 40, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мА, 300 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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