BCX42E6327HTSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.94 EUR |
| 10+ | 0.8 EUR |
| 100+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 3000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details BCX42E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V, Power - Max: 330 mW.
Weitere Produktangebote BCX42E6327HTSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| BCX42E6327HTSA1 | Infineon |
 TRANS PNP 125V 0.8A SOT-23 Транзистори |
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BCX42E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW |
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BCX42E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW |
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BCX42E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Übergangsfrequenz ft: 150 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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BCX42E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Übergangsfrequenz ft: 150 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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BCX42E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCX42E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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| BCX42E6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon
TRANS PNP 125V 0.8A SOT-23 Транзистори
TRANS PNP 125V 0.8A SOT-23 Транзистори
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| BCX42E6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 330 mW
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| BCX42E6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 330 mW
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| BCX42E6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| BCX42E6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| BCX42E6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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| BCX42E6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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