BCX42E6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCX42E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V, Power - Max: 330 mW.
Weitere Produktangebote BCX42E6327HTSA1 nach Preis ab 0.068 EUR bis 1.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW |
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BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW |
auf Bestellung 15660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicn AF/Switch TRANSISTOR |
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BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
PNP 800mA 125V 330mW 150MHz BCX42 smd TBCX42 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
PNP 800mA 125V 330mW 150MHz BCX42 smd TBCX42 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
PNP 800mA 125V 330mW 150MHz BCX42 smd TBCX42 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
PNP 800mA 125V 330mW 150MHz BCX42 smd TBCX42 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
Транз. Бипол. PNP 125V 0.8A SOT-23 |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Übergangsfrequenz ft: 150 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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BCX42E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Übergangsfrequenz ft: 150 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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