BCX42E6327HTSA1 Infineon
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Technische Details BCX42E6327HTSA1 Infineon
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23, Power - Max: 330 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: PG-SOT23, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote BCX42E6327HTSA1 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BCX42E6327HTSA1 | Infineon |
 PNP 800mA 125V 330mW 150MHz BCX42 smd TBCX42Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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BCX42E6327HTSA1 | Infineon |
PNP 800mA 125V 330mW 150MHz BCX42 smd TBCX42 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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BCX42E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicn AF/Switch TRANSISTOR |
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| BCX42E6327HTSA1 |
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| BCX42E6327HTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicn AF/Switch TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicn AF/Switch TRANSISTOR
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