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BCX42E6327HTSA1

BCX42E6327HTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 330 mW
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Technische Details BCX42E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V, Power - Max: 330 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCX42E6327HTSA1 BCX42E6327HTSA1 Hersteller : Infineon info-tbcx42.pdf PNP 800mA 125V 330mW 150MHz BCX42 smd TBCX42
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BCX42E6327HTSA1 BCX42E6327HTSA1 Hersteller : Infineon info-tbcx42.pdf PNP 800mA 125V 330mW 150MHz BCX42 smd TBCX42
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BCX42E6327HTSA1 BCX42E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BCX42_DS_v01_01_en.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Silicn AF/Switch TRANSISTOR
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BCX42E6327HTSA1 BCX42E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcx42.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449c6e48d023c Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 330 mW
auf Bestellung 11347 Stücke:
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31+0.58 EUR
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1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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BCX42E6327HTSA1 BCX42E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcx42.pdf Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCX42E6327HTSA1 BCX42E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON 1849706.html Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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BCX42E6327HTSA1 BCX42E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON 1849706.html Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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BCX42E6327HTSA1 Hersteller : Infineon bcx42.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449c6e48d023c TRANS PNP 125V 0.8A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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