BCX42E6433HTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BCX42E6433HTMA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V, Power - Max: 330 mW.
Weitere Produktangebote BCX42E6433HTMA1 nach Preis ab 0.091 EUR bis 0.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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BCX42E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans GP BJT PNP 125V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCX42E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCX42E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 125V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCX42E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW |
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BCX42E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
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