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BCX5216H6433XTMA1 Infineon Technologies

bcx51_bcx52_bcx53.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89
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Technische Details BCX5216H6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 60V 1A PG-SOT89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: PG-SOT89, Grade: Automotive, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCX5216H6433XTMA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS17216-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCX5216H6433XTMA1 - BCX52 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BCX5216H6433XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies bcx51_bcx52_bcx53.pdf PNP SILICON AF TRANSISTORS
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BCX5216H6433XTMA1 BCX5216H6433XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies bcx51_bcx52_bcx53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589c08423034d&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bcx51_bcx52_bcx53.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
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BCX5216H6433XTMA1 BCX5216H6433XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BCX51_BCX52_BCX53-DS-v01_01-en-539935.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
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