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BCX5316TA

BCX5316TA DIODES/ZETEX

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Hersteller: DIODES/ZETEX
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R BCX5316TA TBCX5316TA Diodes
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Technische Details BCX5316TA DIODES/ZETEX

Description: DIODES INC. - BCX5316TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCX5316TA BCX5316TA Diodes Incorporated BCX51_52_53.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
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BCX5316TA BCX5316TA DIODES INC. DIOD-S-A0013307424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCX5316TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 414 Stücke:
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BCX5316TA BCX5316TA DIODES INC. DIOD-S-A0013307424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCX5316TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
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BCX5316TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCX5316TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCX5316TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCX5316TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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