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BCX55,115

BCX55,115 Nexperia

bcx55_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details BCX55,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BCX55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCX55, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : Nexperia bcx55_ser.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCX55_SER.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : Nexperia bcx55_ser.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BA8E6B31AAA6BE28&compId=BCP55_BCX55_BC55PA-DTE.pdf?ci_sign=40643dc0deb65ec75278077f222fd70c7f2f6611 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Frequency: 180MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
234+0.31 EUR
315+0.23 EUR
360+0.20 EUR
633+0.11 EUR
5000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BA8E6B31AAA6BE28&compId=BCP55_BCX55_BC55PA-DTE.pdf?ci_sign=40643dc0deb65ec75278077f222fd70c7f2f6611 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Frequency: 180MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : Nexperia BCX55_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN medium power transistors
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10+0.46 EUR
100+0.30 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCX55_SER.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
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38+0.47 EUR
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500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : NEXPERIA BCX55_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCX55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1037 Stücke:
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : NEXPERIA BCX55_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCX55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : Nexperia bcx55_ser.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : NEXPERIA bcp55_bcx55_bc55pa.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BCX55,115 BCX55,115 Hersteller : NEXPERIA bcp55_bcx55_bc55pa.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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