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BCX5516TA

BCX5516TA Diodes Zetex

bcx54_55_56.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
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1190+0.12 EUR
2124+0.066 EUR
3000+0.063 EUR
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Technische Details BCX5516TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BCX5516TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCX55 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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BCX5516TA BCX5516TA Hersteller : Diodes Zetex bcx54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX5516TA BCX5516TA Hersteller : Diodes Incorporated BCX54_55_56.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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2000+0.14 EUR
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5000+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000
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BCX5516TA BCX5516TA Hersteller : Diodes Incorporated BCX54_55_56.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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48+0.37 EUR
100+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 30
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BCX5516TA BCX5516TA Hersteller : Diodes Incorporated BCX54_55_56-3194693.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
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10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BCX5516TA BCX5516TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD11709F2591BF&compId=BCX54x-DTE.pdf?ci_sign=a6de10d206e214dd6aa6c975b3b2ed6b35926cdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
223+0.31 EUR
500+0.14 EUR
613+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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BCX5516TA BCX5516TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD11709F2591BF&compId=BCX54x-DTE.pdf?ci_sign=a6de10d206e214dd6aa6c975b3b2ed6b35926cdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
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BCX5516TA BCX5516TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013600389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCX5516TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BCX5516TA BCX5516TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013600389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCX5516TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BCX5516TA BCX5516TA Hersteller : Diodes Inc bcx54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
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BCX5516TA BCX5516TA Hersteller : Diodes Zetex bcx54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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